STM32 电机控制 SDK MCFW-6.4.1
用于构建驱动 STM32 的 PMSM 电机应用的软件开发套件
PMSM 最大扭矩每安培(MTPA)控制

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IPMSM的电磁扭矩方程为:

$$T_e=\frac{3}{2}\bar{p}\left(\lambda_{ds}{\ i}_{qs}-\lambda_{qs}{\ i}_{ds}\right)=\frac{3}{2}\bar{p}\left(L_{ds}\ i_{ds}\ i_{qs}+\phi_m\ i_{qs}-L_{qs}\ i_{qs}\ i_{ds}\right)$$

$$T_e=\frac{3}{2}\bar{p}\phi_m\ i_{qs}+\frac{3}{2}\bar{p}(L_{ds}-L_{qs})i_{qs}\ i_{ds}$$

该表达式的第一项是PM激励力矩。第二项是所谓的磁滞力矩,它代表了由于其内在显著磁结构的额外组成部分。此外,由于 \(L_d < L_q\) 通常如此,磁应力矩和激磁力矩只有在 \(i_{ds} < 0\ 时方向相同。

考虑扭矩方程,可以指出电流分量\(i_{qs}\)和\(i_{ds}\)都直接影响扭矩的产生。

MTPA(每安培最大扭矩控制)的目标是计算参考电流 \(((i_{qs}, $i_{ds})\),以最大化产生电磁扭矩与铜损耗的比值(在以下条件下)。

$$I_S=\sqrt{i_{qs}^2+i_{ds}^2}\le I_s$$

因此,给定一组电机参数(极对、直感和正交电感Ld和Lq、磁铁磁通连结、标称电流),MTPA轨迹被识别为\((i_{qs}, $i_{ds})\))对的轨迹,该对最小化每个所需扭矩的电流消耗(见下图)。

此功能可通过ST MC Workbench图形界面激活。

MTPA轨迹

下图展示了在速度控制环路内实现的MTPA策略。此时,\(i_q^*\)(PI调节器的输出)输入MTPA函数,\(i_d^*\)通过输入线性插值轨迹选择。

MTPA控制

无论哪种情况,通过作用于直轴电流ID,磁通量都可以被削弱,从而延长可实现的速度范围。进入该工作区后,MTPA路径为左(有关弱磁策略的详细信息,请参见通量减弱控制)。

总之,通过通过 iq 和 ids 组件调节电机电流,FOC 能够调节 PMSM 的扭矩和通量。电流调节通过通常称为“同步帧CR-PWM”实现。

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